1. |
Кузнецов Г.В. Надпровідні та ненадпровідні купратні оксиди в напівпровідникових гетероструктурах: Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Г.В. Кузнецов ; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2003. — 36 с.: рис. — укp.З'ясовано процеси утворення ненадпровідних фаз на поверхні та межах розділу високотемпературних надпровідних (ВНП) купратних оксидів, визначено домінуючі механізми електропровідності в таких фазах. З використанням теоретичної моделі контакту метал - напівпровідник проаналізовано вплив надпровідності одного з електродів (металу або напівпровідника) на процеси переносу носіїв заряду. Одержано аналітичні вирази для надбар'єрної та тунельної компонент струму через контакт з урахуванням ролі проміжного діелектричного шару. Установлено основні закономірності між структурно-хімічними та електрофізичними властивостями контактних структур ВТНП - метал, ВТНП - напівпровідник. Досліджено процеси твердофазного синтезу та визначено електричні параметри діелектричних (силікатних) та металічних (силіцидних) буферних антидифузійних шарів на кремнії. Експериментально визначено механізми впливу адсорбції на електрофізичні характеристики контактів метал - кремній з проміжним шаром купратного оксиду. Показано, що визначальними для газової чутливості є зміни провідності та діелектричної сталої проміжного оксидного шару, висоти потенціального бар'єру, перерозподілу падіння напруги в структурі. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22,022 Шифр НБУВ: РА326546
Рубрики:
|